Memoria Ram Samsung 4Gb DDR4 3200Mhz
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Memoria Ram Samsung 4Gb 1RX16 PC4-3200AA-SC0-11
M471A5244CB0-CWE
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Especificaciones Capacidad 4GB Velocidad 1333 Mhz Tecnología DDR3 Latencia CL9-9-9-27 Voltaje de Alimentación 1.65 Volts
SP004GBLFU213N02 Actualización módulo de 4GB DDR4 memoria de escritorio 288 pines, velocidad de memoria MHz 2133 PC4-19200, DDR4-2133 Memoria de bajo voltaje, opera a 1.2V sólo Estado latente del CAS de CL15 – módulo de 4GB de un solo lado
Iluminación RGB dinámica multizona Software de última generación PCB de rendimiento personalizado Máximo ancho de banda y tiempos de respuesta ajustados
Kingston KVR1333D3S9/8G – Memoria RAM DDR3 (CL9 204-Pin SODIMM, 1333, 8 GB, KVR) • Tecnología: DDR3 SDRAM • Factor de forma: DIMM de 240 espigas • Velocidad de memoria: 1333 MHz ( PC3-10600 ) • Comprobación integridad datos: ECC • Tiempos de latencia: CL9 • Características: Control de la temperatura, doble fila , registrado con …
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